Sensor de condutividade Conducell 4UPTF VP 30
de temperaturade processo

sensor de condutividade
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Características

Avaliação realizada
de temperatura, de condutividade
Aplicações
de processo
Faixa de pressão

MÁX: 20 bar
(290,08 psi)

MÍN: 0 bar
(0 psi)

Descrição

Os sensores de condutividade tradicionais Conducell 4UxF de 4 pólos têm um conetor VP6 e estão disponíveis com conexões de processo PG13.5, VariVent ou Bioconnect. Esses sensores certificados pela FDA são projetados para suportar CIP, SIP e autoclavação. São compatíveis para uma utilização fácil em aplicações higiénicas com boa linearidade numa vasta gama de condutividade. Os eléctrodos estão disponíveis em aço inoxidável (USF, 1.4435, e UHF, 2.4602), platina (UPtF) e titânio (UTF). O aço inoxidável é o material de elétrodo mais comum e é adequado para aplicações biofarmacêuticas típicas. A platina pode ser utilizada para estabilidade a longo prazo e resistência à corrosão. Em casos de aplicações altamente corrosivas ou quimicamente agressivas, o Hastelloy pode ser escolhido pela sua excecional resistência. O titânio é bem adequado para utilização com corrosão, como a água do mar. Estes produtos devem ser combinados com um transmissor de condutividade, como o Hamilton H100. Especificações Parâmetro - Condutividade (4 pólos) Saída do sensor - Tradicional comprimento a - 30 mm Conector elétrico - VP6 Princípio de medição - Contacto de 4 pólos Gama de medição - 1 µS/cm a 500 mS/cmEspecificações adicionais Constante de célula - 0,36 /cm Sensor de temperatura - Pt1000 Diâmetro - 12 mm Ligação ao processo - PG13,5 Partes molhadas - Aço inoxidável 1.4435 PEEK (Polieteretercetona) EPDM (elastómero de etileno-propileno) Ver detalhes de conformidade no documento de especificação do material Qualidade da superfície do aço - Ra < 0,4 µm (N5, electropolido) Número de série - Sim Certificado - Sim, com constante de célula nominal e real Aprovação ATEX - II 1/2 G Ex ia IIC T4/T5/T6 Ga/Gb; II 1/2 D ia IIIC T x °C Da/Db Aprovação IECEx - II 1/2 G Ex ia IIC T4/T5/T6 Ga/Gb; II 1/2 D ia IIIC T x °C Da/Db

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