Espectrômetro óptico SXES
de raios XCCDde bancada

Espectrômetro óptico - SXES - Jeol - de raios X / CCD / de bancada
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Características

Tipo
óptico, de raios X
Tipo de detector
CCD
Configuração
de bancada
Outras características
de alta sensibilidade, de ultra-alta resolução
Largura

168 mm
(6,6 in)

Altura

683 mm
(26,9 in)

Peso

25 kg
(55,1 lb)

Descrição

O Espectrómetro de Emissão de Raios X Suaves (SXES) é um espetrómetro de resolução ultra-alta constituído por uma grelha de difração recentemente desenvolvida e uma câmara CCD de raios X de alta sensibilidade. Tal como o EDS, é possível a deteção paralela e pode ser efectuada uma análise de resolução de energia ultra-alta de 0,3 eV (borda de Fermi, padrão Al-L), ultrapassando a resolução de energia do WDS. Descrição do sistema A nova conceção do sistema ótico do espetrómetro permite a medição simultânea de espectros com diferentes energias, sem mover a grelha de difração ou o detetor (CCD). Com a elevada resolução energética, pode ser efectuado o mapeamento da análise do estado químico. Comparação de SXES, WDS e EDS Espectros para nitreto de titânio com vários métodos de espetrometria No caso do nitreto de titânio, os picos de N-Kα e Ti-Ll estão sobrepostos. Mesmo com WDS, é necessária a deconvolução da forma de onda utilizando um método matemático. Como ilustrado na figura abaixo, existe uma elevada resolução de energia com SXES, permitindo a observação de TiLl. Exemplo de análise de baterias de iões de lítio (LIB) O exemplo abaixo mostra mapas de grandes áreas de amostras LIB com diferentes estados de carga. A SXES pode mapear o pico Li-K tanto no estado da banda de valência (esquerda) como no estado fundamental (meio). Um mapa de distribuição de carbono (à direita) também pode ver a função na LIB que está totalmente descarregada. Exemplo de medição de elementos de luz Medições de compostos de carbono utilizando SXES É possível medir as diferenças entre o diamante, a grafite e os polímeros. As diferenças podem ser observadas com os picos adicionais das ligações π e σ. Uma vez que o mapeamento obtém um espetro de cada pixel, podem ser gerados mapas adicionais para desvios de pico de 1 eV e picos de ombro.

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