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NX2000
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特徴
タイプ
走査電子, FIB
用途
実験用, 研究用, 検査用
観察法
SIM
構成
床置き
電子源
冷陰極電界放出
検出器の特徴
反射電子, 2次電子
分解能
2.8 nm, 3.5 nm, 4 nm, 60 nm
詳細
NX2000は、半導体アプリケーション(KLARF座標インポートによる欠陥解析、TEMラメラ抽出、デバイス開発)に最適化されたFIB-SEMです。205 x 205 mmのX,Y移動量を持つサンプルステージは、200 mmウェハの全面を回転させることなく処理することも可能です。垂直に取り付けられたGa FIBは、30 kVで最大100 nAのイオン電流が可能です。FE-SEMカラムにはコールドフィールドエミッターが装備されています。
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カタログ
Product Catalogue: SEM, FIB, BIB, TEM
31 ページ
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