走査電子電子顕微鏡 SU9600

STEMFE-SEM走査型電子

概要
SU9600は、ナノ材料、2D材料、半導体の高度な解析に適した、透過最適化型のモジュール式走査型電子顕微鏡です。UHR-SEMと分析用STEMを高安定性プラットフォーム上で統合し、オプションとして4D-STEM、EELS、nano-EDSを追加してマルチモーダル解析を行えます。

キャッチフレーズ
高度なナノ材料解析のための透過最適化型SEM

主なポイント

• 分析用STEMとUHR-SEMの機能を1台の安定したプラットフォームで統合
• 10 V〜30 kVの幅での超高分解能イメージングにより表面および構造解析が可能
• コールドフィールドエミッション（CFE）、フルイマージョン対物レンズ、TEM様ステージにより世界水準の分解能を実現（0.34 nm保証、約0.2 nm到達可能）

機能と利点

• エネルギー・角度フィルタリング付きの反射電子および透過電子検出
• 表面情報（SE/BSE）と透過電子情報（BF/ADF/EELS/4D-STEM）の相関解析
• 大開口窓無しEDSによるサブnmの元素分析
• EELSおよび4D-STEMで電子構造、結合、ひずみを解析可能。CFEはEELSのエネルギー分解能を向上
• プロジェクター対物を備えた高速ダイレクト電子4D-STEMカメラ（オプション）でDPC、プチコグラフィー、ひずみ・位相マッピングが可能
• クライオホルダ、MEMSホルダ、減速ホルダ、TEM二軸傾斜ホルダなどの柔軟なサンプル環境（オプション）

用途

• ナノ材料：ナノスケール元素マッピング、格子・粒界イメージング、ナノワイヤの元素分布解析
• 薄膜：表面形態、粒界構造、断面配向解析
• 元素分析：高分解能EDSマッピングおよび低kV EELSによる酸化状態・電子構造解析
• 半導体：デバイス解析や故障解析のための高分解能イメージングと透過電子解析

注記

• 「*」が付いた機能はオプションです（4D-STEM、EELS、nano-EDS、ホルダ等）。
• 減速ホルダやトップ検出器など一部の高度なモードはオプションで、着地電圧性能に影響を与える場合があります。

仕様 / 技術データ

• SE画像分解能: 0.4 nm @ 30 kV; 1.0 nm @ 1 kV; 0.6 nm @ 着地電圧 1 kV (*1)
• STEM画像分解能: 0.34 nm @ 30 kV（格子像）(*2)
• 加速電圧: 0.5〜30 kV
• 着地電圧 (*1): 0.01〜20 kV
• 電気的画面シフト: 最大 ±5 µm（試料高さ = 0.0 mm）
• ステージ走行: X: ±4.0 mm; Y: ±2.0 mm; Z: ±0.3 mm; T（チルト）: ±40°
• 試料サイズ - フラットステージ（最大）: 5.0 mm × 9.5 mm × 3.5 mm（H）
• 試料サイズ - 断面ステージ（最大）: 2.0 mm × 6.5 mm × 5.0 mm（H）
• 電子源: コールドフィールドエミッション（高輝度、低色収差）、EELS性能向上のためのNEGオプションあり
• 検出器・解析: 反射および透過電子検出、エネルギー/角度フィルタリング、高開口窓無しEDS、EELS、4D-STEM（オプション）、ダイレクト電子4D-STEMカメラ（オプション）
• 脚注: *1 オプションの減速ホルダおよびトップ検出器使用時。*2 オプション。