Microscópio CFE-SEM SU8600
para pesquisa3Dde piso

Microscópio CFE-SEM - SU8600 - Hitachi High-Tech Europe GmbH - para pesquisa / 3D / de piso
Microscópio CFE-SEM - SU8600 - Hitachi High-Tech Europe GmbH - para pesquisa / 3D / de piso
Microscópio CFE-SEM - SU8600 - Hitachi High-Tech Europe GmbH - para pesquisa / 3D / de piso - imagem - 2
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Características

Tipo
CFE-SEM
Aplicações
para pesquisa
Técnica
3D
Configuração
de piso
Fonte de elétrons
de emissão de campo frio
Tipo de detector
de elétrons retroespalhados, com detector de energia dispersiva de raios X (EDS)
Outras características
de ultra-alta resolução, automático
Ampliação

MÁX: 2.000.000 unit

MÍN: 20 unit

Resolução espacial

0,6 nm, 0,7 nm

Descrição

O SU8600 marca o início de uma nova era de microscópios eletrónicos de varrimento de emissão de campo frio (CFE-SEM) de ultra-alta resolução na linha de produtos de microscópios eletrónicos de longa data da Hitachi. Esta plataforma revolucionária de CFE-SEM incorpora capacidades de imagem multifacetadas, automatização, maior estabilidade do sistema, fluxos de trabalho eficientes para utilizadores de todos os níveis de experiência e muito mais. Características Ótica Eletrónica e Detetores Tecnologia de Base (Fonte de Eletrões de Emissão de Campo Frio) Desde que a fonte de eletrões de emissão de campo frio (CFE) foi concretizada em 1972, a Hitachi High Tech tem vindo a aperfeiçoar constantemente esta tecnologia excecional para a imagem eletrónica de alta resolução. Os mais recentes desenvolvimentos no design dos canhões de eletrões proporcionam uma maior estabilidade de irradiação do feixe de eletrões na região de alto brilho. O SU8600 permite a obtenção de imagens com elevada relação sinal/ruído mesmo a baixas tensões de aceleração, podendo também ser utilizado em medições e análises de longo prazo sob condições de irradiação de corrente elevada, rivalizando com outras tecnologias de canhões disponíveis. Tecnologia de Base (ExB) É possível detetar eficientemente os eletrões secundários (SE) sem alterar a trajetória dos eletrões primários, através da formação de um campo elétrico e de um campo magnético mutuamente ortogonais (campo ExB) acima da lente objetiva. Esta tecnologia central permite obter imagens com excelente relação sinal-ruído e contraste, mesmo nas condições de corrente de sonda mais baixas, frequentemente utilizadas para a obtenção de imagens de alta resolução. Tecnologia Central (SuperExB) O avanço no design para implementar a função de mistura de sinais SuperExB é uma das tecnologias emblemáticas da Hitachi High-Tech. Os eletrões (eletrões secundários, SE, ou eletrões retroespalhados, BSE)

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VÍDEO

* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.