Microscópio eletrônico SEM SU9600

STEMFE-SEMeletrônico de varredura (MEV)

Visão geral
O SU9600 é um microscópio eletrônico de varredura modular otimizado para transmissão, projetado para análise avançada de nanomateriais, materiais 2D e semicondutores. Integra UHR-SEM e capacidades analíticas STEM numa plataforma de alta estabilidade, com módulos opcionais 4D-STEM, EELS e nano-EDS para estudos multimodais.

Slogan
O SEM otimizado para transmissão para análise avançada de nanomateriais

Pontos principais

• Combina funções analíticas STEM e UHR-SEM numa única plataforma estável
• Imagem de ultra alta resolução de 10 V a 30 kV para estudos de superfície e estrutura
• Tubo de emissão por campo frio (CFE), lente objetiva de imersão total e estágio tipo TEM permitindo resolução de ponta (0,34 nm garantido, ~0,2 nm alcançável)

Capacidades e benefícios

• Detecção de elétrons refletidos e transmitidos com filtragem de energia e ângulo
• Correlação de informações de superfície (SE/BSE) com informações de elétrons transmitidos (BF/ADF/EELS/4D-STEM)
• Análise elementar sub-nm via EDS sem janela com grande ângulo sólido
• EELS e 4D-STEM possibilitam investigação da estrutura eletrônica, ligações e tensões; CFE melhora a resolução energética para EELS
• Câmera 4D-STEM de detecção direta opcional com lente projetora para DPC, ptychography, mapeamento de tensão e fase
• Ambiente de amostra flexível: suportes criogênicos, suportes MEMS, suporte de desaceleração e suportes TEM de dupla inclinação (opções)

Aplicações

• Nanomateriais: mapeamento elementar em escala nanométrica, imagem de rede e grão, distribuição elementar em nanofios
• Filmes finos: morfologia de superfície, estrutura de grãos e análise de orientação em seção transversal
• Análise elementar: mapeamento EDS de alta resolução e EELS de baixa tensão para estado de oxidação e estrutura eletrônica
• Semicondutores: imagem de alta resolução e análise por elétrons transmitidos para análise de dispositivos e falhas

Observações

• Recursos marcados com * são opcionais (4D-STEM, EELS, nano-EDS, suportes).
• Modos avançados (por ex., suporte de desaceleração / detector superior) são opcionais e podem afetar o desempenho da tensão de aterragem.

Especificações / dados técnicos

• Resolução de imagem SE: 0,4 nm @ 30 kV; 1,0 nm @ 1 kV; 0,6 nm @ tensão de aterragem de 1 kV (*1)
• Resolução de imagem STEM: 0,34 nm @ 30 kV (imagem de rede) (*2)
• Tensão de aceleração: 0,5 a 30 kV
• Tensão de aterragem (*1): 0,01 a 20 kV
• Deslocamento elétrico da imagem: até ±5 µm (altura da amostra = 0,0 mm)
• Deslocamento de estágio: X: ±4,0 mm; Y: ±2,0 mm; Z: ±0,3 mm; T (inclinação): ±40°
• Tamanho da amostra - Palco plano (Máx.): 5,0 mm × 9,5 mm × 3,5 mm (H)
• Tamanho da amostra - Palco seção transversal (Máx.): 2,0 mm × 6,5 mm × 5,0 mm (H)
• Fonte de elétrons: emissão por campo frio (alta brilhância, baixa aberração cromática) com opção NEG para melhorar o desempenho EELS
• Detectores & análise: detecção de elétrons refletidos e transmitidos, filtragem energia/ângulo, EDS sem janela de grande ângulo sólido, EELS, 4D-STEM (opcional), câmera 4D-STEM de detecção direta (opcional)
• Notas: *1 Com suporte de desaceleração e detector superior opcionais. *2 Opção.